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和巍巍 博士

深圳基本半导体有限公司

个人亮点

做为核心人员创立并领导第三代半导体碳化硅功率器件重点企业，其产品和技术有力促进了中国电力电子行业的技术创新和发展。

个人简介

和巍巍，深圳基本半导体有限公司总经理，国家万人计划专家，中国半导体行业协会理事和中国电源学会青工委秘书长。2007年毕业于清华大学电机系，2014年毕业于剑桥大学获电力电子专业博士学位。带领公司第三代半导体碳化硅功率器件研发团队荣获 “深圳市海外高层次人才创新创业计划-孔雀团队”荣誉，并作为深圳市唯一一家碳化硅研发企业参与创办“深圳第三代半导体研究院”。荣获第二十一届中国专利优秀奖和第四届“CASA第三代半导体卓越创新青年”奖。

和巍巍博士是国内电力电子行业知名专家，主要研究方向为功率半导体器件IGBT及碳化硅MOSFET的仿真、设计、制造及应用，在国际著名期刊和会议上发表多篇论文，在功率半导体器件和应用领域拥有专利数十项。主持的多个项目先后获得国家教育部第四届“春晖杯”中国留学人员创新创业大赛一等奖、科技部科技型中小企业技术创新基金、深圳市新能源产业发展专项资金、深圳市海外高层次人才创新创业团队、中国创新创业大赛新能源智能汽车及交通出行产业生态大赛一等奖等一系列荣誉和奖励。和巍巍博士带领团队自主研发碳化硅功率器件、大功率IGBT驱动芯片、电力电子积木、高性能电流传感器等产品，成功打破了国外技术垄断，改变了我国在这些领域严重依赖进口的被动局面，目前产品已广泛用于智能电网、工业节能、新能源发电、新能源汽车、轨道交通、国防军工等领域，有力促进了中国电力电子行业的技术创新和发展。

和巍巍博士参与创立的基本半导体是中国第三代半导体行业重点企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳、南京、瑞典斯德哥尔摩、日本名古屋设有研发中心。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员由剑桥大学、瑞典皇家理工学院、清华大学等知名高校博士组成。公司拥有一支由国家特聘专家领衔的国际化一流水平的研发团队，核心成员由清华大学、中国科学院、剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞典皇家理工学院等国内外知名高校和研究机构的博士组成。团队成员研发方向涵盖碳化硅器件芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等各个方面，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、首款国产通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。公司先后参与发起“广东省未来通信高端器件创新中心”、“深圳第三代半导体研究院”，与深圳清华大学研究院共建“第三代半导体材料与器件研发中心”，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心，荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖、中国创新创业大赛专业赛一等奖、中国IC设计成就奖、中国功率半导体品牌榜、国产化成果杰出成就奖等荣誉。