为进一步弘扬中国科学家精神，激发广大科技工作者的荣誉感、自豪感、责任感，中共中央宣传部、中国科协、科技部、中国科学院、中国工程院、国防科工局决定在全社会广泛开展2021年“最美科技工作者”学习宣传活动。

按照总体安排，中国电源学会遴选发布了本学科“最美科技工作者”。共有5位优秀科技工作者获得了2021年电源领域“最美科技工作者”称号。学会撰写整理了5位人选的优秀事迹材料，在电源领域开启集中学习宣传，旨在引导和激励广大电源科技工作者学习最美、争当最美，为行业发展提升和服务国家需求贡献智慧力量。

杨树

浙江大学“百人计划”研究员，博士生导师

个人简介

杨树，女，浙江大学“百人计划”研究员，博士生导师，现任浙江大学电力电子技术研究所副所长。于复旦大学获学士学位、于香港科技大学获博士学位（导师：IEEE Fellow， Kevin J. Chen教授）；曾在香港科技大学担任客座助理教授、于英国剑桥大学从事博士后研究（合作教授：英国皇家工程院院士，Florin Udrea教授）。长期专注于宽禁带半导体功率器件（芯片）设计、微纳制造及可靠性研究。

宽禁带半导体功率器件是《中国制造2025》重点发展的电力装备、航空航天、轨道交通、新能源汽车等领域的重要支撑技术。 宽禁带半导体氮化镓（GaN）功率器件能够在电力电子应用中提供高频率、小尺寸、低功耗、高能效等理想性能，是当前国际功率半导体领域的研究前沿之一。然而，我国在GaN功率器件方面的研究与美、日、欧等发达国家相比存在一定差距，亟需打造具有我国自主知识产权的GaN功率器件。候选人围绕GaN功率器件在电压/功率等级、动态特性、栅极可靠性方面的技术挑战，开展了一系列具有国际领先水平的研究工作。主要创新点包括：1）自主研制出1kV/1.2mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直氮化镓功率器件，功率品质因数国际领先；2）实现了无动态电阻退化的新型垂直GaN器件，解决了长期困扰传统平面型GaN器件的动态性能退化难题；3）提出了针对GaN器件的新型界面氮化方法，实现了GaN器件栅极可靠性的提升。

论文与引用：共发表80余篇SCI/EI论文，其中以第一/通讯作者在功率器件领域权威期刊IEEE Electron Device Lett.、IEEE Trans. Electron Devices等发表SCI论文25篇，在该领域国际顶级会议IEEE ISPSD和IEEE IEDM发表论文11篇（接收率~15%）；4篇ESI高被引论文，论文总被引2788次，H因子为28，SCI他引1272次；引用候选人成果的学者涵盖了40余个国家（地区）和MIT、耶鲁大学、哈佛大学、剑桥大学、斯坦福大学、加州大学伯克利分校等300余个研究机构，包括Infineon、Intel、TSMC、ON Semiconductor、NXP等51家国内外半导体公司，包括1位诺贝尔奖获得者、17位国内外院士和50位IEEE Fellow；参与诺贝尔奖得主Hiroshi Amano教授牵头的技术路线图《2018 GaN Power Electronics Roadmap》编写；1篇论文被选为SCI期刊Phys. Stat. Sol. A的封面；编写英文专著章节2章；受邀在ECPE Workshop’2020、APWS’2019、COMMAD’2018、ISCS’2016、RFIT’2015等国际会议上10次做大会特邀报告。作为第一/通讯作者的研究成果7次被Compound Semiconductor和Semiconductor Today国际产业杂志专题报道。

项目与获奖：候选人为国家重点研发计划“新能源汽车”重点专项课题负责人，主持国家自然科学基金面上项目和青年项目、教育部联合基金、浙江省杰出青年科学基金、台达电力电子科教基金等项目。在以上项目的支持下，围绕当前我国高性能半导体功率器件的紧迫需求，针对日益复杂的国际科技竞争形势，力求解决我国核心功率芯片的卡脖子技术问题。2018年获得IEEE ISPSD Charitat Young Researcher Award，该奖项每年在全球范围内仅1~2位获奖者，候选人为该奖项创立30年来首位获奖的中国大陆学者；研究成果获香港教育局提名2019年国家自然科学二等奖；2020年获得“中国电源学会优秀青年奖”（每年3位获奖者）；2020年获得 “中达青年学者奖”（每年2位获奖者）；2016年入选国家高层次青年人才计划，入选首届“第三代半导体卓越创新青年”；2015年获得香港科技大学PhD Research Excellence Award，该奖项每年1~3位获奖者，候选人为首位女性获奖者。

学术兼职：担任IEEE Open Journal of Power Electronics编委，IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics客座编委，中国电源学会女科学家工作委员会副主任委员、元器件专委会委员，功率半导体领域国际顶级会议IEEE ISPSD技术委员会委员（为入选该学术组织的第2位中国大陆学者），IEEE PEAC’2018技术委员会成员，IEEE WiPDA Asia’2018组委会成员，被IEEE EDL（2015~2017, 2019~2020）和IEEE T-ED（2014-2020）评为金牌审稿人，现为IEEE高级会员。

教学与学生培养：候选人注意教学与学生培养，始终将教书育人作为重要目标。开设本科生必修课《模数混合与功率集成》（112人，评价：优秀）、开设全英文研究生课程《半导体材料与器件测试表征》（评价：满分）并入选“海外一流高校精品课程”。所指导的硕博士研究生7人次获得国家奖学金、王国松奖学金、优秀毕业生等奖励荣誉。担任本科生班主任，指导本科生暑期认知实习。

在未来，杨树研究员将继续围绕高频高效GaN核心功率器件开展研究，打造具有我国自主知识产权的GaN核心芯片上，以期打破国外先进半导体器件的技术封锁，实现功率芯片技术的跨越式发展。

感人故事

杨树——2021年电源领域“最美科技工作者”感人故事