2024年9月7日9:00-12:00，由中国电源学会策划推出的“中国电源学会电源云讲坛”系列活动—2024年电源云讲坛（第8期）成功举办。本次电源云讲坛围绕特种电源中的半导体器件及应用专题，采取网络会议研讨+在线直播的形式，共有来自电源领域高校、科研院所、企业的专家和科技工作者1900余人参与。

江苏易矽科技有限公司（会员单位）陈宏总经理、中国工程物理研究院流体物理研究所刘宏伟高级工程师、山东大学肖龙飞副研究员分别做了专题报告。

中国电源学会特种电源专业委员会副主任委员、哈尔滨工业大学鄂鹏教授主持会议。中国电源学会特种电源专业委员会常务委员、西北核技术研究院丛培天研究员；中信科佳信（北京）电气技术研究院有限公司关永超总经理；北京市天润中电高压电子有限公司（会员单位）张裕总工程师作为互动嘉宾参与。

为更好满足加速器、高新装备等领域的应用需求，当前特种电源朝着固态化、高可靠性以及长使用寿命等方向发展。开关作为其中的核心器件，已经从传统的气体、真空、伪火花开关向晶闸管、IGBT、MOSFET等半导体器件发展。功率半导体器件技术的深入研究和应用将有助于持续推进高功率特种电源器件半导体化进程，提升特种电源的环境适应性、电磁兼容性等，拓展特种电源在国家大科学装置、航空航天、医学、工业等领域的应用范围。

本次会议特邀国内外知名高校、科研院所学者以及企业专家作嘉宾演讲与讲坛交流，就特种电源中的半导体器件及应用的前沿研究和工程应用等方面进行深入交流，分析当前技术存在的瓶颈问题，提出未来发展方向和建议，促进产学研用的协同交流与合作，推动功率半导体器件在特种电源产业与技术中的广泛应用。

在专题报告环节，江苏易矽科技有限公司（会员单位）陈宏总经理做了题为“车用IGBT器件技术概述”的工业报告。报告简要介绍了Si IGBT、SiC MOSFE和SBD等功率器件技术及应用发展趋势；详细对比了Si IGBT和SiC MOSFET/SBD关键技术参数，SiC作为宽禁带半导体的典型代表，由其材料优势展现出巨大的应用前景，在新能源汽车领域比Si IGBT具有更大提升空间，但仍存在一定的短板，需要全产业链协同提升。

江苏易矽科技有限公司（会员单位）陈宏总经理做报告

中国工程物理研究院流体物理研究所刘宏伟高级工程师做了题为“光触发多门极半导体开关研究及应用”的技术报告。报告对光触发多门极半导体开关基本原理、仿真及实验情况以及应用情况进行了介绍。光触发多门极半导体开关是团队发明的一种新型高功率开关器件，该器件将激光触发与多门极结构结合，解决了半导体开关大电流和高电流上升率的矛盾；同时，发明了“掺杂区优化结合终端钝化层”方法，大幅降低了器件的高温漏电流，为器件的广泛应用奠定了基础。光触发多门极半导体开关额定工作电压6kV，基于不同的芯片尺寸，可以实现数kA至数十kA的放电电流，输出脉宽数十ns至数十μs，重复频率可达数百Hz。相关研究成果已授权美国专利1项，中国发明专利4项，实用新型专利2项。

中国工程物理研究院流体物理研究所刘宏伟高级工程师做报告

山东大学肖龙飞副研究员做了题为“高可靠性光导开关研究进展”的技术报告。光导开关作为新型的大功率开关器件，具有触发抖动低、功率容量大等优点，被广泛的应用于固态脉冲功率源中，具有优异的应用前景，尤其是高功率微波、大科学装置同步触发、工业杀菌等领域。

山东大学肖龙飞副研究员做报告

互动交流环节，特邀嘉宾就特种电源中的半导体器件及应用面临的主要问题、技术瓶颈以及未来发展趋势轮流发表了各自的观点，参会代表就报告内容和特种电源中的半导体器件及应用向各位专家提问并讨论交流。

互动交流环节

“中国电源学会电源云讲坛”系列活动，自2020年推出以来，得到行业广泛关注及认可。云讲坛内容上以产业和企业需求为导向，选择企业关注的热点、痛点技术话题，解决企业产品开发、技术升级方面的实际问题、难题，切实助力会员单位和行业企业创新发展，根据会员企业需求定期举行。