产品名称：SRE100N065FSUD8

产品简介：

这是一颗击穿电压为650V的IGBT产品。该产品是自主研发的，其制造和封装都是依托本土的企业完成，供应链的安全也得到了很好的保证。在典型应用条件下，完成一次开关过程的总损耗只有2mJ，可以实现的开关频率最高可达100KHz，其性能水平跟Infineon的IGBT H5代相当。该产品跟MOSFET相比，其芯片面积更小，成本更低，是在开关速度要求不高时，一个非常好的替代方案。此颗产品已经大批量用在新能源充电设备上，可以提供客户高性价比方案，占有率很高。

产品创新性：

1.产品结构上采用沟槽栅替代传统平面栅，消除JFET效应所Vcesat的恶化；采用超薄硅技术、背面注入和激光退火将漂移区厚度降低40%，减少IGBT导通时存贮载流子的数目，避免使用少子寿命控制技术。

2. 产品调整工艺步骤、优化现有IGBT的关键工艺流程，选择对应版图结构改善现有FZ晶圆的翘曲问题。本产品Pitch不足上一代的20%，首次实现微米级硅台面。

3. 产品在沟槽栅旁边引入源极场板降低输入电容和栅漏耦合电容；采用弱P型背面注入和高能量正面载流子存贮层注入，调节IGBT导通时载流子的分布，让靠近表面的浓度高，体内浓度低，关断过程中加速载流子抽取。本产品开关过程损耗为上一代的30%。

产品面向市场：

工业/自动化，新能源，计算机，消费电子

主要参数：

产品图片：

联系方式：

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