中国电源学会第二十三届学术年会将于2019年11月1日至4日，在深圳市举行。本届年会录用论文506篇，将安排7场特邀大会报告、9场专题讲座、50个技术报告分会场312场报告、7个工业报告分会场40场报告、2个墙报交流时段，同期电源展览会设置展位超过100个，预计将有超过1500名代表参会。“第五届中国电源学会科学技术奖”颁奖仪式、“GaN Systems杯第五届高校电力电子应用设计大赛”决赛、“电源科研成果交流会”等活动将在年会期间举行。

目前会议程序已出炉，请点击查看。

2019年10月10日开放展览注册，免收注册费（食宿自理）。包含：

1. 参观11月2-3日展览会。

2. 中国电源学会会员（含团体会员单位代表、个人会员），可参加11月2日大会报告环节。

可通过会议网站meeting.cpss.org.cn进行在线注。

团队参会注册   个人参会注册   会员&论文作者优惠注册   查看全文

 

中国电源学会定于2019年10月25-27日在杭州浙江大学（玉泉校区）举办“第五期新能源车充电与驱动技术高级研修班”。本次课程在往期研修班成功举办的基础上，进一步优化课程大纲和讲师阵容，特邀中国电源学会理事长、浙江大学徐德鸿教授；美国国家工程院院士Kaushik Rajashekara博士；上海大学徐国卿教授；浙江大学吴新科教授等国内外顶级电力电子及新能源车领域专家授课，课程理论讲解结合实际案例，切实提高国内工程师们对于新能源汽车充电和驱动技术的设计水平及分析解决问题的能力。 查看全文

为建立产学研用共同参与的学会标准工作体系，针对目前电源行业急需领域和课题开展团体标准工作，以满足行业发展需要，促进电源行业技术进步、自主创新和产业升级，根据国家标准委相关文件要求，依照《中国电源学会团体标准管理办法》，现开展中国电源学会2020年度立项团体标准提案征集工作。

提案发起单位应按规定的内容和要求填写附件《中国电源学会团体标准项目建议书》于2019年11月20日前发送至 standard@cpss.org.cn 邮箱。查看全文

为了总结和梳理中国电源行业情况；为相关企业及社会各界及时了解电源行业发展现状，分析、研究电源行业发展趋势提供相关资料信息及数据；为行业科研、生产、采购和应用提供指导和参考，中国电源学会从2012年起开始编辑和出版《中国电源行业年鉴》(以下简称“《年鉴》”)，在业界形成了广泛的影响力，已成为中国电源行业较为准确和权威的资料性工具书。

本年度《年鉴（2019）》于2019年8月出版行，全书正文共547页，155万字，内容分为：政策法规、宏观经济动态、电源行业发展报告、电源行业新闻、科研与成果、电源标准、会员企业简介、电源重点工程案例及相关产品介绍，共八篇。前三篇主要介绍了与电源行业相关领域的政策法规、宏观经济环境及行业运行情况，为行业发展和各单位的决策提供指导和参考；后五篇从各个方面介绍了上年度电源行业的发展状况。

《年鉴(2019)》由机械工业出版社出版发行，现面向各有关单位开展征订工作。请有意订购的企业或个人在线填写征订表，填写地址为：https://jinshuju.net/f/PvCY3i  查看全文

出版期数： 电源学报,2019,17(4):185-192

作者：李辉,钟懿,黄樟坚,廖兴林,谢翔杰,肖洪伟

摘要： 为了准确反映SiC MOSFET在不同温度下的电气特性，对影响SiC MOSFET电气特性的关键参数进行了分析，提出了一种SiC MOSFET等效电路模型。首先，根据SiC MOSFET阈值电压和跨导随温度变化的规律，采用函数拟合的温控电源模型对SiC MOSFET的阈值电压和漏极电流进行补偿；其次，考虑寄生电容与极间电压的关系，采用电容子电路和可变电容模型对SiC MOSFET的寄生电容进行等效模拟，根据SiC MOSFET体二极管对其静、动态特性的影响，利用独立二极管模型描述体二极管特性，进而建立SiC MOSFET的等效电路模型。最后，在不同温度条件下，对该模型进行了仿真并与实验测试结果进行了对比。结果表明所建模型较为准确地描述SiC MOSFET在较宽温度范围内的静、动态特性，验证了模型的有效性。

出版：电源学报,2019,17(4):193-200.

作者：马建林,王莉,阮立刚

摘要：针对多芯片功率模块MCPMs（multi-chip power modules）从功率模块布局设计角度对碳化硅SiC（silicon carbide） MOSFET的并联不均流进行了研究。理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因，在忽略器件自身差异的情况下，重点分析了非对称布局对功率管并联不均流的影响。在此基础之上，以集成化大功率固态功率控制器SSPC（solid-state power controller）为背景，提出了3种适用于大功率SSPC集成功率模块的非对称布局，分别对3种布局的不均流电流进行了理论分析，并利用Ansoft Q3D提取寄生参数在Saber中对模块的动态开关过程进行仿真。仿真结果表明，通过合理的布局可以减小非对称布局引起的寄生电感不对称对SiC MOSFET并联不均流造成的影响。