中国电源学会电力电子化电力系统及装备专委会成立大会暨第一次技术交流研讨会于2019年6月21-22日在湖北省武汉市顺利召开。本次会议由中国电源学会电力电子化电力系统及装备专业委员会（以下简称“专委会”）主办，华中科技大学电气与电子工程学院、华中科技大学强电磁工程与新技术国家重点实验室承办，专委会秘书处单位深圳市禾望电气股份有限公司协办。

21日晚，专委会成立大会在华中科技大学八号楼召开，会议由中国电源学会张磊秘书长主持。会议伊始，中国电源学会副理事长、南京航空航天大学阮新波教授致辞，并宣读了《关于同意召开中国电源学会电力电子化电力系统及装备专业委员会成立大会的批复》。随后，华中科技大学林磊教授代表专委会筹备组介绍了专委会的酝酿和筹备过程。查看全文

 

为提高电源行业工程师们的分析、解决光储系统设计相关问题的能力，中国电源学会定于2019年7月27—29日在合肥工业大学举办“中国电源学会专业技术培训（第39期） 光储系统设计与应用专题研修班”。

随着光伏等可再生能源的大规模应用，渗透率越来越高，为确保可再生能源并网发电的稳定可靠运行，光伏发电与储能的结合应用已是大势所趋。光储系统设计技术包括光伏并网逆变器及其系统设计技术、储能系统及其功率变换（PCS）设计技术，以及工程示范及应用技术等。特别是近年来高密度分布式光伏并网消纳关键技术、并网发电系统的振荡问题、基于弱电网下光伏并网逆变器控制、储能系统工程示范及其关键技术、超大容量储能系统PCS技术、大型PV阵列与锂电池储能阵列的基本问题及其功率优化、光伏虚拟同步机技术等备受学界和业界关注，并且在推动我国太阳能光伏发电及储能系统中电源技术创新中起到了关键作用。 查看全文

出版： 电源学报,2019,17(3):26-37

作者：何亮,张晓荣,倪毅强,罗睿宏,李柳暗,陈建国,张佰君,刘扬.

摘要：氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，具有优异的材料物理特性，更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程，以及考虑到大尺寸、低成本等优势，在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料，以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。

出版：电源学报,2019,17(3):38-43

作者：钱洪途,朱永生,邓光敏,刘雯,陈敦军,裴轶.

摘要：为了进一步提升电能转换效率，介绍了一款基于650 V氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT（galliumnitride high electron mobility transistor）的共栅共源级联（cascode）结构开关管及其在无线电能传输方面的应用。在GaN HEMT器件设计方面，通过仿真讨论了器件的场板设计对电容和电场的影响。所制造的cascode器件在650 V时漏电约为2 μA，在源漏电压400 V时输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss分别为1 500 pF、32 pF和12 pF，动态导通电阻升高约16%。基于该款cascode器件设计并展示了一款240~320 kHz、满载功率1 kW的无线充电样机，在200~1 000 W负载范围内效率明显高于Si器件，最高效率超过95%。

为表彰对《电源学报》期刊工作做出突出贡献的优秀审稿人，根据《<电源学报>2017-2018年度优秀审稿人推选方案》，本刊编委会推选出2017—2018年度优秀审稿人5名，并颁发荣誉证书。

附具体获奖人员名单：

唐厚君 上海交通大学电子信息与电气工程学院教授

吴卫民 上海海事大学电力传动与控制研究所教授

廖志凌 江苏大学电气信息工程学院教授

王国东 河南理工大学物理与电子信息学院教授

杨晓峰 北京交通大学电气工程学院副教授