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中国电源学会第二十三届学术年会报名通道正式开启
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中国电源学会第二十三届学术年会(CPSSC’2019)将于2019年11月1-4日在深圳召开。
本届年会征集论文超过500篇,新产品展示会设置展位超过100个,预计将有超过1500名代表参会。"第五届中国电源学会科学技术奖"颁奖仪式、"GaN Systems杯第五届高校电力电子应用设计大赛"决赛、"中美电源产业发展论坛";、"科研成果交流会"等活动将在年会期间举行。
报名优惠截止日期2019年9月30日。9月30日之后报名者不享受注册费优惠,食宿不予保证。
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学会新闻
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在9月14-20日全国科普日即将到来之际,由中国电源学会主办,合肥工业大学、中国电源学会新能源电能变换技术专业委员会、科普工作委员会承办的光储系统设计与应用专题研修班于2019年7月27至29日在合肥成功举办,来自全国各院校及企事业单位60余名代表参加了本次研修班。
2019年是中华人民共和国成立70周年,是全面建成小康社会关键之年。为深入贯彻习近平新时代中国特色社会主义思想,贯彻落实党的十九大和十九届二中、三中全会精神,推动“创新、协调、绿色、开放、共享”的发展理念深入人心,弘扬科学精神、普及科学知识,推动全民科学素质全面提升,促进科学普及与科技创新协同发展。中国电源学会自7月下旬组织开展系列活动,以实际行动共同庆祝全国科普日。本次课程即是系列活动之一。 查看全文
2019年7月31日,中国电源学会第二批8项团体标准正式发布。这是继2018年发布首批8项团体标准以后,中国电源学会开展行业标准化体系建设的又一重要成果。
首批团体标准经立项、起草、审查等各项工作,于2018年6月6日正式对外发布。2017年10月,中国电源学会第二批团体标准项目启动。2019年4月召开的中国电源学会团体标准评审会议,对2017年度启动的9项团体标准及2016年首批团体标准中立项延期完成标准2项、修后重审标准1项,共计12项团体标准报审稿进行了审查。
最终,8项团体标准通过审查,之后经修改、审批等环节,此次正式发布。这8项团体标准,涉及电源不同领域的技术或检测规范,达到了业界先进水平,填补了相关行业空白,有助于指导行业规范化。
本批团体标准全文可在中国电源学会官方网站-团体标准栏目 免费下载,学会官网网址:www.cpss.org.cn。
如需纸质版,可向学会申领。中国电源学会会员(含个人会员及团体会员)可免费申领,非会员申领需支付工本费18元/份。 点此申领纸质版 查看全文
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学会通知
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中国电源学会定于2019年10月25-27日在杭州浙江大学(玉泉校区)举办“第五期新能源车充电与驱动技术高级研修班”。本次课程在往期研修班成功举办的基础上,进一步优化课程大纲和讲师阵容,特邀中国电源学会理事长、浙江大学徐德鸿教授;美国国家工程院院士Kaushik Rajashekara博士;上海大学徐国卿教授;浙江大学吴新科教授等国内外顶级电力电子及新能源车领域专家授课,课程理论讲解结合实际案例,切实提高国内工程师们对于新能源汽车充电和驱动技术的设计水平及分析解决问题的能力。 查看全文
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《电源学报》
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(一)《电源学报》2018年度优秀论文
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《电源学报》2018年度优秀论文推选活动已经结束,经过电源学报全体编委投票推荐,共计选出优秀论文10篇。具体名单如下。
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(二)关于《电源学报》2017—2018年度优秀审稿人的表彰
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为表彰对《电源学报》期刊工作做出突出贡献的优秀审稿人,根据《<电源学报>2017-2018年度优秀审稿人推选方案》,本刊编委会推选出2017—2018年度优秀审稿人5名,并颁发荣誉证书。
附具体获奖人员名单:
唐厚君 上海交通大学电子信息与电气工程学院教授
吴卫民 上海海事大学电力传动与控制研究所教授
廖志凌 江苏大学电气信息工程学院教授
王国东 河南理工大学物理与电子信息学院教授
杨晓峰 北京交通大学电气工程学院副教授
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(三) 热点论文
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600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计
出版期数: 电源学报,2019,17(3):57-63
作者:潘溯,胡黎,冯旭东,张春奇,明鑫,张波.
摘要:介绍了一种适用于600 V耗尽型氮化镓GaN(gallium nitride)器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路,并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因。驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流,在减小功率管开启过程中dv/dt的同时,保证功率管的开启速度。基于0.35 μm BCD工艺对电路进行仿真验证,结果表明:在600 V输入电压的半桥驱动应用下,驱动电路在GaN功率器件阈值电压前提供700 mA驱动电流,达到阈值电压后提供190 mA稳定驱动电流,开关节点的dv/dt为150 V/ns,传输延迟加开启延迟为20 ns。
基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术
出版:电源学报,2019,17(3):53-56
作者:倪金玉,孔岑,周建军,孔月婵.
摘要:基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2 V,击穿电压VBD达到700 V,输出电流ID达到8 A,导通电阻RON为300 mΩ。基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63 V和0.95 V;所研制17级环形振荡器在输入6 V条件下振荡频率345 MHz,级延时为85 ps
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(四)征稿启事
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(五)期刊目录:《电源学报》2019年第4期
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作者:刘治钢,张晓峰,马亮,杨世春,闫啸宇,杨鹏,陈宇航 查看摘要 | 查看全文
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电力电子技术与应用英文学报(CPSS TPEA)
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CPSS Transactions on Power Electronics and Applications
期刊目录:Vol.4 No.2
SPECIAL ISSUE FOR EXPANDED PAPERS FROM PEAC 2018 CONFERENCE: PART 2
SPECIAL ISSUE PAPERS
X. Chen, L. Huang, P. Fu, G. Gao, Z. Song, L. Xu, S. He, and X. Zhang
H. Wang, W. Wu, S. Zhang, Y. He, H. S. Chung, and F. Blaabjerg
T. Zhao, D. Xiang, and Y. Zheng
R. Yang, B. A. McDonald, and Y. Li
REGULAR PAPERS
Design of MMC Hardware-in-the-Loop Platform and Controller Test Scheme
G. Li, D. Zhang, Y. Xin, S. Jiang, W. Wang, and J. Du
Prediction Method of DC Bias in DC-DC Dual-Active-Bridge Converter
L. Shu, W. Chen, and Z. Song
Improved Quasi-Y-Source DC-DC Converter for Renewable Energy
X. Fang, X. Ding, S. Zhong, and Y. Tian
Open-Loop Power Sharing Characteristic of a Three-Port Resonant LLC Converter
Y.-K. Tran, F. D. Freijedo, and D. Dujic
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