2019年第13期 总第139期 2019年8月1日
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中国电源学会第二十三届学术年会(CPSSC’2019)将于2019年11月1-4日在深圳召开。会议旨在促进电源界海内外华人学者的学术交流，促进产、学、研的合作，促进中国电源产业的技术创新和技术进步。会议将通过大会报告、分会场报告、专题讲座、技术报告、工业报告、墙报交流、现场展览等形式对电源各个领域的新理论、新技术、新成果及新工艺进行深入交流与研讨。
关于科研成果交流会
为深入推动产、学、研各单位相互间的交流与合作，本次年会拟设立电源科研成果交流专题会场，组织相关高校院系、研究所、科研团队现场就各自最新科研成果进行报告，并与相关企业进行交流。
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学会新闻 |
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《电源学报》 |
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（一）关于《电源学报》2017—2018年度优秀审稿人的表彰
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为表彰对《电源学报》期刊工作做出突出贡献的优秀审稿人，根据《<电源学报>2017-2018年度优秀审稿人推选方案》，本刊编委会推选出2017—2018年度优秀审稿人5名，并颁发荣誉证书。
附具体获奖人员名单：
唐厚君 上海交通大学电子信息与电气工程学院教授
吴卫民 上海海事大学电力传动与控制研究所教授
廖志凌 江苏大学电气信息工程学院教授
王国东 河南理工大学物理与电子信息学院教授
杨晓峰 北京交通大学电气工程学院副教授
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（二） 热点论文
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出版： 电源学报,2019,17(3):44-52
作者：康玄武,郑英奎,王鑫华,黄森,魏珂,吴昊,孙跃,赵志波,刘新宇..
摘要：氮化镓GaN（gallium nitride）作为第三代半导体材料的代表之一，具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点，在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点，可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统。总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD（Schottky barrier diode）目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展。重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度，介绍了各种优化SBD性能的方法。最后，对器件的未来发展进行了展望。
基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术 出版：电源学报,2019,17(3):53-56
作者：倪金玉,孔岑,周建军,孔月婵.
摘要：基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料，实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2 V，击穿电压VBD达到700 V，输出电流ID达到8 A，导通电阻RON为300 mΩ。基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63 V和0.95 V；所研制17级环形振荡器在输入6 V条件下振荡频率345 MHz，级延时为85 ps
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（三）征稿启事
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（四）期刊目录：《电源学报》2019年第3期
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电力电子技术与应用英文学报(CPSS TPEA) |
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