“中国电源学会第二十三届学术年会”论文征集工作自正式启动以来，受到了同行业专家、学者的广泛关注。应广大作者要求，学会决定将征文截止日期延期至2019年7月15日，工业报告、专题讲座征集截止日期延期至2019年7月10日，欢迎广大作者继续踊跃投稿。

本次年会将于2019年11月1日至4日在深圳市召开。本次会议计划录用论文500篇，预计会议规模1500人。相关信息将在会议网站陆续更新，敬请关注。

重要日期：

论文征稿截止时间  2019年6月30日 2019年7月15日

技术讲座、工业报告征集截止时间  2019年6月30日 2019年7月10日

论文录用通知时间  2019年8月15日

论文终稿提交时间  2019年9月15日

大会时间   2019年11月1日-4日

 

 

1. 论文应具有创新性、实用性、或参考价值。每篇论文不超过6页。

2. 论文提交采用pdf格式文件，A4纸，版芯限定为17cm*25cm。文章格式（分行顺序）：题目/作者-单位-邮编/摘要/关键词/正文/参考文献/作者简介。正文用5号宋体，双列排版。在杂志或报刊上正式发表的论文不采用；文字：中文或英文。详见学术年会网站上的“论文格式和注意事项”

3. 年会优秀论文，征得作者同意，将推荐到中国电源学会期刊《电源学报》（核心期刊）上发表。

4. 请登录学术年会网站http://meeting.cpss.org.cn，按照“投稿指南”登录有关作者和论文信息，上传论文电子文档，每个电子文档大小请控制在2M以内

截止日期： 2019年6月30日 2019年7月15日

 

 

为促进来自工业领域的应用技术交流、加强产学研互动，本次年会将继续设置并进一步丰富工业报告会场。工业报告以电力电子热点及重点共性技术问题共设主题12个。与技术报告会不同，工业报告会不需要递交论文，只需提供演讲稿简报(PPT文档)。其目标听众不仅有同行研究及技术专家，也适合工程技术人员、系统设计者、市场和销售业务人员、采购与招标代理、标准编制、行业管理机构等。

1.工业报告面向行业公开征集，报告内容应有较强的技术性、创新性，强调主题相关性，非有偿商业宣传演讲，不向报告人额外收费。

2.工业报告应征者请在线填写《工业报告申请表》，填写地址：https://jinshuju.net/f/9vZ2qe，内容包括报告题目、摘要、内容大纲以及演讲者相关信息。

3.经工业报告委员会评审录用的报告将安排在大会工业报告会场演讲，每场报告30分钟（含5分钟提问时间）。报告人应在限定时间内提交完整PPT，由委员会进行审查并有权提出修改要求。

截止日期： 2019年6月30日 2019年7月10日

 

 

为有利于深入交流和研讨，将于2019年11月1日（周五）安排技术讲座，每个技术讲座3.5个小时。欢迎专家学者就电源领域的热点问题，或者新理论、新技术、新成果及新工艺开设技术讲座。

技术讲座委员会主席（阮新波教授，南京航空航天大学）将组织委员会进行评估和确定。

请有意开设技术讲座的专家学者提交技术讲座开设建议书给会议秘书处，建议书内容包括：讲座题目与内容简介，主讲者简介，主讲者联系信息（包括：单位、职务、职称、手机、邮箱、个人照片）。

截止日期： 2019年6月30日 2019年7月10日

 

为提高电源行业工程师们的分析、解决光储系统设计相关问题的能力，中国电源学会定于2019年7月27—29日在合肥工业大学举办“中国电源学会专业技术培训（第39期） 光储系统设计与应用专题研修班”。

随着光伏等可再生能源的大规模应用，渗透率越来越高，为确保可再生能源并网发电的稳定可靠运行，光伏发电与储能的结合应用已是大势所趋。光储系统设计技术包括光伏并网逆变器及其系统设计技术、储能系统及其功率变换（PCS）设计技术，以及工程示范及应用技术等。特别是近年来高密度分布式光伏并网消纳关键技术、并网发电系统的振荡问题、基于弱电网下光伏并网逆变器控制、储能系统工程示范及其关键技术、超大容量储能系统PCS技术、大型PV阵列与锂电池储能阵列的基本问题及其功率优化、光伏虚拟同步机技术等备受学界和业界关注，并且在推动我国太阳能光伏发电及储能系统中电源技术创新中起到了关键作用。

点击报名  查看全文

"中国电源学会科学技术奖"（国科奖社证字第0220号）是由国家科技部批准，在国家科技奖励办公室登记备案的代表本行业、本专业在全国范围内评选的科技奖励。“第五届中国电源学会科学技术奖”（以下简称“电源科技奖”）现已接受项目推荐申报，截止日期为2019年7月15日。请各有关单位积极做好推荐申报工作。现将相关安排通知如下：

（一）项目类奖项

项目类奖项包括“技术发明奖”、“科学技术进步奖”、“优秀产品创新奖”三个奖项。

（二）个人类奖项

个人类奖励包括“杰出贡献奖”和“青年奖”。

进入中国电源学会科学技术奖推荐申报系统（http://www.cpss.org.cn/Logins/awards），以学会个人会员和团体会员账号登录个人中心（非会员可注册网站账号登录），选择左侧菜单“电源科技奖”栏目-->“材料提交”选项, 按要求填写并上传相应申报书word版本及相关附件材料电子版文件。

中国电源学会科学技术奖推荐申报系统  查看全文

出版： 电源学报,2019,17(3):4-15

作者：彭韬玮,王霄,敖金平.

摘要：氮化镓GaN（gallium nitride）材料非常适合应用于高频、高功率、高压的电子电力器件当中。目前，GaN功率电子器件技术方案主要分为Si衬底上横向结构器件和GaN自支撑衬底上垂直结构器件2种。其中，横向结构器件由于制造成本低且有良好的互补金属-氧化物-半导体CMOS（complementary metal-oxide-semiconductor）工艺兼容性已逐步实现产业化，但是存在材料缺陷多、常关型难实现、高耐压困难以及电流崩塌效应等问题；垂直结构器件能够在不增大芯片尺寸的条件下实现高击穿电压，具有非常广阔的市场前景，也面临着材料生长、器件结构设计和可靠性等方面的挑战。基于此，主要针对这两种器件综述介绍并进行了展望。

出版：电源学报,2019,17(3):16-25

作者：肖明,胡杰,张宇昊

摘要：硅功率器件已接近其理论物理性能的极限。基于宽禁带半导体材料的电力电子系统能够实现更高的功率密度和电能转换效率，而具有高临界电场和载流子迁移率的氮化镓被认为是未来高功率、高频和高温应用的最有希望的候选者之一，而由品质因子给出的氮化镓基功率器件的综合性能具有大于1 000倍于硅器件的理论极限。目前已产业化的氮化镓功率晶体管主要基于水平结构，但垂直结构更有利于实现更高电压和更大电流。随着氮化镓衬底材料的逐渐成熟，近期垂直结构氮化镓功率器件成为了学术界和产业界的研究热点，并被认为是下一代650~3 300 V电力电子应用的候选器件。基于此，回顾了垂直结构氮化镓晶体管的最新进展，特别是与器件相关的材料和工艺问题，并总结了开发高性能垂直结构氮化镓功率晶体管的主要挑战。