一、打破国外垄断，彰显技术实力

就读剑桥大学期间和巍巍博士师从Patrick Palmer教授从事先进电力电子器件和系统方面的研究，主要研究方向为功率半导体器件IGBT的仿真设计及应用，2014年学成归国后全职加入青铜剑科技，担任副总经理，负责研发和技术支持业务并参与国内首款IGBT驱动芯片和模块的研发和产业化工作。和巍巍博士主持和参与的研发项目已实现销售收入超亿元人民币，自主研发大功率IGBT驱动芯片、电力电子积木、高性能电流传感器、碳化硅功率器件等产品，也已打破了国外技术垄断，改变了我国在此领域严重依赖进口的被动局面，目前产品已广泛用于智能电网、工业节能、新能源发电、新能源汽车、轨道交通、国防军工等领域，有力促进了中国电力电子行业的技术创新和发展。

和巍巍博士带领团队长期致力于功率半导体芯片的研发，在国际著名学术期刊和会议上发表了一系列论文，获得数十项国内外专利授权，参与了包括科技部科技型中小企业技术创新基金项目“基于大功率IGBT 模块的智能电力电子积木”等十多项国家、省、市科技计划项目研发，发明专利“一种绝缘栅器件控制方法及其电路”（专利号：ZL200910258615.3）先后荣获中国专利优秀奖和深圳市专利奖，成功打破国外技术垄断，改变了我国在功率半导体芯片领域“缺芯少核”的局面。

二、加快进口替代，实现自主可控

以碳化硅器件为代表的第三代半导体芯片是最新一代的电力电子芯片，作为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心芯片技术，是全球半导体行业的重点研究方向，也是《中国制造2025》重点领域。碳化硅具有更高的击穿电场、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力，特别适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，应用非常广泛。

和巍巍博士充分发挥“工匠精神”，久久为功，坚持推动行业关键核心部件和自主可控技术实现“进口替代”，努力将基本半导体打造成为我国功率半导体产业的“隐形冠军”。基本半导体瞄准国际最领先的竞争对手，从高端产品入手，成功自主研发了工业级碳化硅MOSFET芯片、车规级碳化硅模块等国内首创产品，在新能源、智能电网、电动汽车、轨道交通、国防军工、节能环保等领域得到广泛应用，有力提升了国产第三代半导体芯片在关乎国计民生和国家安全领域的基础支撑作用。